SKM600GB12E4D1

Описание

Купить IGBT SKM600GB12E4D1 в Харькове

Транзистор IGBT SKM600GB12E4D1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM600GB12E4D1:

• Chip technology IGBT 4 (Trench)
• Current (A) – 600 A
• Dimensions (LxWxH) – 106x62x31
• IGBT4 = 4th generation medium fast trench IGBT (Infineon)
• CAL4HD = 4th generation high density (HD) CAL-diode optimized for low static losses
• Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
• Increased power cycling capability
• With integrated gate resistor
• For higher switching frequencies up to 6kHz
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMITRANS 3
• Technology IGBT
• Topology Half-Bridge
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.