SKM200GB12T4SiC2

Описание

Купить IGBT SKM200GB12T4SiC2 в Харькове

Транзистор IGBT SKM200GB12T4SiC2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM200GB12T4SiC2:

• Chip technology SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
• Current (A) – 200 A
• Dimensions (LxWxH) – 106x62x31
• IGBT4 = 4. Generation Fast Trench IGBT (Infineon)
• With Silicon Carbide Schottky diodes (ROHM)
• Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
• UL recognized, file no. E63532
• Increased power cycling capability
• With integrated gate resistor
• For higher switching frequencies
• Housing SEMITRANS 3
• Technology Hybrid SiC
• Topology Half-Bridge
• Voltage (V) 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.