SKM100GB07E3

Описание

Купить IGBT SKM100GB07E3 в Харькове

Транзистор IGBT SKM100GB07E3 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM100GB07E3:

• Chip Technology IGBT 3 (Trench)
• Current (A) – 100 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 94x34x30
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High short circuit capability, self limiting to 6 x Icnom
• Fast & soft switching inverse CAL diodes
• Insulated copper baseplate using DCB Technology (Direct Copper Bonding)
• With integrated gate resistor
• Housing SEMITRANS 2
• Switches Half-Bridge
• Technology IGBT
• Voltage (V) – 650 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.