SKiM459GD12F4V4

Описание

Купить IGBT SKiM459GD12F4V4 в Харькове

Транзистор IGBT SKiM459GD12F4V4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKiM459GD12F4V4:

• Chip Technology SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
• Current (A) – 450 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 160x150x35
• IGBT 4 Fast
• SiC Schottky free-wheeling diodes, 6 diodes per switch
• Solderless sinter technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• Low inductance case
• Insulated by Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) ceramic substrate
• Pressure contact technology for thermal contacts
• Spring contact system to attach driver PCB to the control terminals
• High short circuit capability
• Integrated temperature sensor
• UL recognized: File no. E63532
• Housing SKiM 93
• Switches Sixpack
• Technology Hybrid SiC
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.