Описание
Купить SKIIP23NAB12T4V1 в Харькове
Транзистор IGBT SKIIP23NAB12T4V1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKIIP23NAB12T4V1:
- Inverter — IGBT
- VCES IGBT — 1200V
- IC — 33/26A
- IC — 37/30A
- ICnom — 25A
- ICRM — 75A
- VGES — 20V
- Tj -40+175C
- VCES Chopper IGBT — 1200V
- IC — 33/26A
- VRRM Inverse Diode — 1200V
- IF — 29A
- VRRM Freewheeling — Diode — 1200V
- IF — 29A
- IFSM — 100A
- Tj -40+175C
- Вес — 65 грамм
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
