Описание
Купить IGBT MWI50-12A7T в Харькове
Транзистор IXYS MWI50-12A7T широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MWI50-12A7T:
- IGBT
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- IC25 — 85A
- IC80 — 60A
- ICM — 100A
- Ptot — 350W
- Diodes
- IF25 — 110A
- IF80 — 70A
- TVJ -40+150C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 2500V
- Weight — 180g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
