Описание
Купить IGBT MWI100-12E8 в Харькове
Транзистор IXYS MWI100-12E8 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MWI100-12E8:
- IGBTs
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- IC25 — 165A
- IC80 — 115A
- ICM — 200A
- Ptot — 640W
- Diodes
- IF25 — 200V
- IF80 — 130A
- TVJ -40+125C
- TJM +150C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 2500V
- Weight — 300g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
