Описание
Купить IGBT MIXG360RF1200PTED в Харькове
Транзистор IXYS MIXG360RF1200PTED широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MIXG360RF1200PTED:
- Boost/Brake Chopper
- free wheeling Diode + NTC
- VRSM — 1200V
- VRRM — 1200V
- VF — 1.82/2.20V
- IFAV — 52A
- VF0 — 1.20V
- Ptot — 150W
- IFSM — 150A
- CJ — 16pF
- VCES IGBT — 1200V
- IC25 — 532A
- Ic80 — 400A
- Ptot — 1870W
- TVJ -40+175C
- Weight — 176g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
