Описание
Купить IGBT MIXG120W1200TEH в Харькове
Транзистор IXYS MIXG120W1200TEH широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MIXG 120W1200TEH:
- IGBT
- VCES — 1200V
- IC25 — 185A
- IC80 — 140A
- VCE(sat) typ — 1.7V
- Eoff — 8.2mJ
- RthJC — 0.30K/W
- Diode
- IF25 — 180A
- IF80 — 135A
- Вес — 305г
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
