Описание
Купить IGBT MIO1200-25E10 в Харькове
Транзистор IXYS MIO1200-25E10 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MIO1200-25E10:
- IGBT Module
- VCES — 2500V
- VGES — 20V
- IC80 — 1200A
- ICM — 2400A
- Diode
- IF80 — 1200A
- IFSM — 11000A
- TJM +150C
- TVJ -40+125C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 5000V
- Weight — 1500g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
