Описание
Купить IGBT MG50J6ES50 в Харькове
Транзистор IGBT Toshiba MG50J6ES50 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MG50J6ES50:
- VCES — 600V
- VGES — 20V
- IC — 50A
- ICP — 100A
- IF — 50A
- IFM — 100A
- PC — 280W
- Tj +150C
- Tstg -40+125C
- Visol — 2500V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
