HCS600FH120D4C2

Описание

Купить HCS600FH120D4C2 в Харькове

Инновационный Модуль HCS600FH120D4C2 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS600FH120D4C2:

• Быстрые зарядные устройства для транспортных средств
• Размер медного основания: 79 мм x 62 мм
• Максимальная температура спая 175°C
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Низкоиндуктивная конструкция
• Возобновляемая энергия
• Ток модуля (А) – 600
• RDS(вкл) (мОм) – 3,2
• Моторные приводы
• Термистор внутри
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.