Описание
Купить IGBT FF900R17ME7W_B11 в Харькове
Транзистор IGBT FF900R17ME7W_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FF900R17ME7W_B11:
- VCES = 1700 V
- IC nom = 900 A / ICRM = 1800 A
- Integrated temperature sensor
- High current density
- Overload operation up to 175°C
- TRENCHSTOPTM IGBT7
- VCE,sat with positive temperature coefficient
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
