FF900R12ME7

Описание

Купить IGBT FF900R12ME7 Харькове

Транзистор IGBT FF900R12ME7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности FF900R12ME7:

• Model ST
• Brand Infineon
• IC(Nom) / If(Nom) 900 a
• Technology IGBT7
• Configuration Dual
• Voltage 1200V
• Production Capacity 50000 PC/ Year

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.