FF750R17ME7DP_B11

Описание

Купить IGBT FF750R17ME7DP_B11 в Харькове

Транзистор IGBT FF750R17ME7DP_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности FF750R17ME7DP_B11:

• VCES = 1700 V
• IC nom = 750 A / ICRM = 1500 A
• Integrated temperature sensor
• High current density
• Low VCE,sat
• Overload operation up to 175°C
• TRENCHSTOPTM IGBT7
• VCE,sat with positive temperature coefficient
• Enlarged diode for regenerative operation

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.