DD450S45T3E4_B5

Описание

Купить IGBT DD450S45T3E4_B5 в Харькове

Транзистор IGBT DD450S45T3E4_B5 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

XHP™ 3 4500 V, 450 A diode IGBT module with Emitter Controlled E4 Diode and enhanced isolation of 10.4 kV. Predestined to be combined with IGBT module FF450R45T3E4_B5

Технические особенности DD450S45T3E4_B5:

• Fire & smoke EN45545 R22, R23, R24: HL2
• AlSiC base plate for increased TC
• High short-circuit capability
• High surge current capability
• Unbeatable robustness
• Package with CTI > 600
• Tvj op=150°C

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.