Описание
Купить IGBT BSM50GD120DN2 в Харькове
Транзистор IGBT BSM50GD120DN2 1200V, 78A широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности BSM50GD120DN2:
- Creepage distance — 16mm
- Clearance — 11mm
- ECONOPACK 3
- VCE — 1200V
- VCGR — 1200V
- VGE — 20V
- IC — 78/50A
- ICpuls — 156/100A
- Ptot — 400W
- Tj +150C
- Tstg -40+125C
- RthJC — 0.35K/W
- Vis — 2500Vac
- Вес — 186грамм
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
