Описание
Купить IGBT 2MBI150S-120 в Харькове
Транзистор Fuji Electric 2MBI150S-120 150A, 1200V широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности 2MBI150S-120:
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- IC — 200/150A
- IC pulse — 300/400A
- -IC — 150A
- -IC pulse — 300A
- PC — 1000W
- Tj +150C
- Tstg -40+125C
- Viso — 2500V
- Вес — 370грамм
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
