Описание
Купить FF650R17IE4D_B2 в Харькове
Транзистор IGBT FF650R17IE4D_B2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FF650R17IE4D_B2:
- VRRM — 1700V
- IF — 650A
- IF RM — 1300A
- i2t — 105/100 A2s
- RthCH — 22.0K/W
- Tvj max — +175C
- Tvj op -40+150C
- Tstg -40+150C
- M — 3.00 — 6.00Nm
- G — 825g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
