Описание
Купить MWI50-12E7 в Харькове
Транзистор IGBT MWI50-12E7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MWI50-12E7:
- IGBT Modules
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- IC25 — 90A
- IC80 — 62A
- ICM — 100A
- tSC — 10µs
- Ptot — 350W
- VCE(sat) — 1.9/2.4V
- Diodes
- IF25 — 110A
- IF80 — 70A
- TVJ -40+125C
- TVJM -40+150C
- VISOL — 2500V
- Weight — 180g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
