Описание
Купить IGBT MWI150-12T8T в Харькове
Транзистор IXYS MWI150-12T8T широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MWI 150-12T8T:
- Trench IGBT
- Ouput Inverter T1 — T6
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 215A
- IC80 — 150A
- Ptot — 690W
- Output Inverter D1 — D6
- VRRM — 1200V
- IF25 — 196A
- IF80 — 132A
- TVJ -40+125C
- TVJM +150C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 2500V
- Weight — 300g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
