Описание
Купить IGBT IXSN80N60BD1 в Харькове
Транзистор IXYS IXSN80N60BD1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXSN 80N60BD1:
- IGBT with Diode
- VCES — 600V
- VCGR — 600A
- V GES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 160A
- IL — 100A
- IC90 — 80A
- I CM — 300A
- PC — 420W
- VISOL — 2500/3000V
- TJ -55+150C
- TJM +150C
- Tstg -55+150C
- Weight — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
