Описание
Купить IGBT MUBW50-12E8 в Харькове
Транзистор IXYS MUBW50-12E8 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности MUBW50-12E8:
- Input Rectifier Bridge D11 — D16
- VRRM — 1600V
- IFAV — 50A
- IDAVM — 140A
- IFSM — 700A
- Ptot — 135W
- VF — 1.1/1.3V
- Output Inverter T1 — T6
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- IC25 — 90A
- IC80 — 62A
- ICM — 100A
- Output Inverter D1 — D6
- IF25 — 110A
- IF80 — 70A
- Brake Chopper T7
- VCES — 1200V
- VGES — 20V
- IC25 — 52A
- IC80 — 35A
- ICM — 50A
- Ptot — 225W
- Brake Chopper D7
- VRRM — 1200V
- IF25 — 25A
- IF80 — 16A
- TVJ -40+125C
- TJM +150C
- Tstg -40+125C
- VISOL — 2500V
- Weight — 300g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
