Описание
Купить IGBT 2MBI200HJ-120-50 в Харькове
Транзистор IGBT Fuji Electric 2MBI200HJ-120-50 200A, 1200V широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности 2MBI200HJ-120-50:
- Методная структура с низкой индуктивностью
- Высокоскоростное переключение
- 1200V / 200A / 2-in-1 package
- VCES — 1200V
- VGES ±20V
- Ic — 200/275A
- IC pulse — 400A
- -IC — 400A
- -IC pulse — 800A
- PC — 1385W
- Tj 150C
- TC 125C
- Tstg 40 ~ 125C
- Viso — 2500VAC
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
