Описание
Купить IGBT FP25R12W2T4-B11 в Харькове
Транзистор IGBT Infineon FP25R12W2T4-B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FP25R12W2T4-B11:
- VCES — 1200V
- C nom — 25A
- IC — 39A
- ICRM — 50A
- Ptot — 175W
- Ptot +/-20V
- VRRM — 1200V
- IF — 25A
- IFRM — 50A
- I²t — 90,0 A²s
- I²t 75,0 A²s
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
