Описание
Купить IGBT 1MBI200N-120 в Харькове
Транзистор IGBT 1MBI200N-120 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности 1MBI200N-120:
- Промышленное оборудование, например, сварочные аппараты
- Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
- Инвертор для привода двигателя
- Источник бесперебойного питания
- 1200V / 200A 1 in one-package
- Collector-Emitter voltage VCES — 1200V
- Gate-Emitter voltaga VGES ±20V
- Continuous IC — 200A
- 1ms IC pulse — 400A
- Continuous -IC — 200A
- 1ms -IC pulse — 400A
- Max. power dissipation PC — 1500W
- Operating temperature Tj — +150 °C
- Storage temperature Tstg -40 to +125 °C
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
