Описание
Купить IGBT QM30TF-HB в Харькове
Транзистор IGBT QM30TF-HB широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
При весе всего 230 г QM30TF-HB способен выдавать ток коллектора 30 ампер и напряжение коллектор-эмиттер 600 В. Он состоит из двух биполярных транзисторов, ток одного из которых усиливается другим, что обеспечивает более высокую выходную мощность. Кроме того, эти два транзистора представляют собой единую микросхему, что позволяет уменьшить их размер и повысить эффективность.
Технические особенности QM30TF-HB:
- VCEX Collector-emitter voltage — 600V
- IC Collector current — 30A
- hFE DC current gain — 750
- VCEX (SUS) — 600V
- VEBO — 7V
- IC — 30A
- –IC — 30A
- PC — 250W
- PC — 1,8A
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
