Описание
Купить IGBT FZ1800R16KF4_S1 в Харькове
Транзистор IGBT Infineon FZ1800R16KF4_S1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Благодаря основным характеристикам 1600 В | 1800 А | VCE(sat) 2,2 В, этот модуль обеспечивает необходимый запас производительности для крупномасштабных инверторов и приводов. Ключевые инженерные преимущества включают превосходную плотность мощности и повышенную эксплуатационную надежность.
Технические особенности FZ1800R16KF4_S1:
- Thermal Resistance, Junction-to-Case (R_thJC) ≤ 0.009 K/W (per IGBT)
- Gate-Emitter Threshold Voltage (V_GE(th)) 5.0 V to 6.5 V
- Continuous Collector Current (I_C,nom) — 1800 A
- Maximum Junction Temperature (T_vj,max) 150 °C
- Collector-Emitter Voltage (V_CES) — 1600 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
