Описание
Купить IGBT GD50PIL120C6S в Харькове
Транзистор IGBT StarPower GD50PIL120C6S широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей. Силовой модуль STARPOWER IGBT обеспечивает сверхнизкие потери проводимости, а также устойчивость к короткому замыканию.
Технические особенности GD50PIL120C6S:
- Изолированная медная опорная пластина с использованием технологии DBC
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Maximum Power Dissipation @ Tj=175oC PD — 292W
- Pulsed Collector Current tp=1ms ICM — 100A
- Collector Current IC @ TC=25oC< - 85A/li>
- Collector Current IC @ TC=1005oC< - 50A/li>
- Collector-Emitter Voltage VCES — 1200V
- Максимальная температура перехода 175°C
- Low VCE(sat) Trench IGBT technology
- Gate-Emitter Voltage VGES ±20V
- 1200V/50A PIM in one-package
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
