Описание
Купить IGBT FS100R12KE3_B3 в Харькове
Транзистор IGBT Infineon FS100R12KE3_B3 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей. Модуль Infineon FS100R12KE3_B3 представляет собой шестиблочный IGBT-модуль на 1200 В, 100 А, разработанный для высоконадежных промышленных применений. Он сочетает в себе проверенную технологию TRENCHSTOP™ IGBT3 с промышленным стандартом корпуса EconoPACK™ 3, обеспечивая надежную основу для систем преобразования энергии.
Технические особенности FS100R12KE3_B3:
- Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CEsat) 1.70 V (@ I_C = 100 A, T_vj = 25°C)
- Thermal Resistance, Junction-to-Case (R_th(j-c)) 0.29 K/W (Per IGBT)
- Total Switching Energy (E_ts) 13.5 mJ (@ I_C = 100 A, T_vj = 150°C)
- Continuous Collector Current (I_C,nom) — 100 A (@ T_C = 80°C)
- Collector-Emitter Voltage (V_CES) — 1200 V
- Short Circuit Withstand Time (t_SC) 10 µs
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
