Описание
Купить IGBT MG20G6EL1 в Харькове
Транзистор IGBT Toshiba MG20G6EL1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей. Высокоинтегрированный модуль на основе транзисторов (GTR), разработанный для упрощения и повышения надежности схем управления питанием, особенно в системах управления двигателями и мощных коммутационных приложениях.
Технические особенности MG20G6EL1:
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) 2.0V (Max) at IC = 20A
- DC Current Gain (hFE) 100 (Min) at IC = 20A
- Collector-Emitter Voltage (VCEO) — 450V
- Collector Power Dissipation (PC) — 125W
- Junction Temperature (Tj) — 150°C
- Collector Current (IC) — 20A
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
