Описание
Купить IGBT UM150CDY-10 в Харькове
Транзистор IGBT Mitsubishi Electric UM150CDY-10 — это высокопроизводительный одиночный IGBT-модуль, предназначенный для надёжного переключения питания в сложных промышленных условиях. Широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности UM150CDY-10:
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(сб) IC = 150 А, VGE = 15 В — 2,7 В (макс.)
- Тепловое сопротивление (переход-корпус) — IGBT Rth(j-c) — 0,16 °C/Вт (макс.)
- Тепловое сопротивление (переход-корпус) — диод Rth(j-c) — 0,3 °C/Вт (макс.)
- Напряжение изоляции Viso Переменный ток 1 минута — 2500 В ср.
- Максимальная Температура Соединения Ти Джей — 150 °C
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES VGE = 0 В — 500 В
- Ток коллектора (постоянный ток) TC = 25 °C — 150 А
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
