Описание
Купить IGBT SKM40GD101D в Харькове
Транзистор IGBT Semikron SKM40GD101D — это полумостовой силовой модуль, разработанный для обеспечения надёжности в системах преобразования энергии, предъявляющих высокие требования. Широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM40GD101D:
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) V_CE(sat) — 2,1 В (тип.), 2,5 В (макс.) I_C = 40 А, T_j = 125 °C
- Прямое напряжение (диод) V_F = V_EC — 1,8 В (тип.), 2,2 В (макс.) I_F = 40 А, T_j = 125 °C
- Тепловое сопротивление, переход-корпус (для IGBT) R_th(j-c) — 0,6 К/Вт
- Тепловое сопротивление, переход — корпус (на диод) R_th(j-c) — 1,0 К/Вт
- Напряжение коллектор-эмиттер V_CES — 1000 В T_j = 25 °C
- Максимальная Температура Соединения T_j, макс — 150 °C
- Номинальный Ток Коллектора I_C,ном — 40А
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
