HCH300FA120H5C1

Описание

Купить HCH300FA120H5C1 в Харькове

Инновационный Модуль HCH300FA120H5C1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCH300FA120H5C1:

• Высокочастотные коммутационные приложения
• Максимальная температура перехода 175°C
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Низкие коммутационные потери
• Солнечные инверторные системы
• Системы накопления энергии
• Трехуровневые приложения
• Гибридный модуль SiC/Si
• Высокая плотность тока
• Ток модуля (А) – 300
• RDS(вкл) (мОм) – 4,3
• Встроенный термистор

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.