HCS50FB120F0H1

Описание

Купить HCS50FB120F0H1 в Харькове

Инновационный Модуль HCS50FB120F0H1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS50FB120F0H1:

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
• Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Бесперебойный источник питания
• Низкие коммутационные потери
• Инвертор для моторного привода
• Ток модуля (А) – 50
• RDS(вкл) (мОм) – 40
• Tjмакс (℃) – 175
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.