HCS10FH120E1A2

Описание

Купить HCS10FH120E1A2 в Харькове

Инновационный Модуль HCS10FH120E1A2 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS10FH120E1A2:

• Топливный элемент-DC/DC-преобразователь
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Поставщик бесперебойного питания
• Системы хранения энергии
• Солнечные инверторы Системы
• Ток модуля (А) – 100
• RDS(вкл) (мОм) – 10,1
• Tjмакс (℃) – 175
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.