HCS09FC120E1Q1

Описание

Купить HCS09FC120E1Q1 в Харькове

Инновационный Модуль HCS09FC120E1Q1 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS09FC120E1Q1:

• Быстрые зарядные устройства для транспортных средств
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Низкие коммутационные потери
• Ток модуля (А) – 150
• RDS(вкл) (мОм) – 9
• Tjмакс (℃) – 175
• Термистор внутри
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.