HCS08FH120E2A2

Описание

Купить HCS08FH120E2A2 в Харькове

Инновационный Модуль HCS08FH120E2A2 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS08FH120E2A2:

• DC/DC-преобразователи на топливных элементах
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Солнечные инверторные системы
• Системы накопления энергии
• Ток модуля (А) – 160
• RDS(вкл) (мОм) – 7,5
• Tjмакс (℃) – 175
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.