HCS06FH120E2A2

Описание

Купить HCS06FH120E2A2 в Харькове

Инновационный Модуль HCS06FH120E2A2 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS06FH120E2A2:

• DC/DC-преобразователи на топливных элементах
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Низкие коммутационные потери
• Системы накопления энергии
• Встроенный термистор
• Ток модуля (А) – 200
• Tjмакс (℃) – 175
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.