HCS05FH230E2B2

Описание

Купить HCS05FH230E2B2 в Харькове

Инновационный Модуль HCS05FH230E2B2 серию SiC Power Semiconductor Module, использует мощь карбида кремния для силовой электроники следующего поколения. Этот модуль обеспечивает исключительную эффективность, надежную работу при высоких температурах.

Технические особенности HCS05FH230E2B2:

• Напряжение затвор-исток ВГ + 22 /-10V
• Системы бесперебойного питания (ИБП)
• Напряжение сток-исток VDsS – 2300V
• 5 мОм / 2300 В SiC MOSFET полумост
• Изолированная опорная плита
• Низкоиндуктивная компоновка
• Пайкаемые штыри
• Термистор NTC
• SiC-модуль

Закажите интересующие Вас MOSFET, SIC транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.