Описание
Купить IGBT HCG50FP120M3D1 в Харькове
Транзистор IGBT HCG50FP120M3D1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG50FP120M3D1:
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
- Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
- Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
- Более высокая эффективность системы
- Низкие коммутационные потери
- Низкоиндуктивная конструкция
- Блокирующее напряжение (В) – 1200
- Ток модуля (А) – 50
- Модуль IGBT
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
