HCG450FL065E3RE

Описание

Купить IGBT HCG450FL065E3RE в Харькове

Транзистор IGBT HCG450FL065E3RE широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG450FL065E3RE:

• Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 650V
• Постоянный ток коллектора (ICDC): 335А (Т1/Т4), 299А (Т2/Т3)
• Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 900А (Т1/Т4), 640А (Т2/Т3)
• Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 442 Вт (T1/T4), 358 Вт (T2/T3)
• Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
• Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
• Термическое сопротивление (RthJH): 0.215 К/Вт (Т1/Т4), 0.265 К/Вт (Т2/Т3)
• Подходит для ИБП, солнечных батарей, APF/SVG и трехуровневых систем.
• Улучшает рассеивание тепла, продлевая срок службы.

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.