Описание
Купить IGBT HCG450FL065E3RD в Харькове
Транзистор IGBT HCG450FL065E3RD широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG450FL065E3RD:
- Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 650V
- Постоянный ток коллектора (ICDC): 346А (Т1/Т4), 271А (Т2/Т3)
- Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 900A
- Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 470 Вт (T1/T4), 339 Вт (T2/T3)
- Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
- Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
- Термическое сопротивление (RthJH): 0.202 К/Вт (Т1/Т4), 0.231 К/Вт (Т2/Т3)
- Идеально подходит для ИБП, солнечных батарей, APF/SVG и трехуровневых систем.
- Улучшает рассеивание тепла, продлевая срок службы.
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
