HCG450FH120D3RB

Артикул: igbt-4441 Категория: Метка:
HIITIO

Описание

Купить IGBT HCG450FH120D3RB в Харькове

Транзистор IGBT HCG450FH120D3RB широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG450FH120D3RB:

  • Технология траншейного затвора/остановки поля 1200 В
  • Подложка Al2O3 с низким термическим сопротивлением
  • VCEsat с положительным температурным коэффициентом
  • Повторяющийся пиковый ток коллектора: 900 А
  • Максимальная температура перехода: 175°C
  • 1200 В Trench Gate/Field-Stop процесс
  • Низкий уровень электромагнитных помех
  • Встроенный датчик температуры
  • Постоянный ток коллектора: 450А
  • Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.

Бренд

HIITIO

HIITIO

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “HCG450FH120D3RB”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *