HCG400FL120E3RA

Описание

Купить IGBT HCG400FL120E3RA в Харькове

Транзистор IGBT HCG400FL120E3RA широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG400FL120E3RA:

• Подходит для систем PCS, UPS, солнечных батарей и систем APF/SVG.
• Минимизирует электромагнитные помехи для стабильной работы.
• Термическое сопротивление (RthJH): 0.19 К/Вт (IGBT), 0.26 К/Вт (диод)
• Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 1200V
• Постоянный ток коллектора (ICDC): 298A
• Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 800A
• Общая рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 500W
• Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
• Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.