Описание
Купить IGBT HCG200FH120A2D в Харькове
Транзистор IGBT HCG200FH120A2D широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG200FH120A2D:
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
- Низкий Vcesat с высокой температурой перехода
- Более высокая эффективность системы
- Блокирующее напряжение (В) — 1200
- Низкоиндуктивная конструкция
- Низкие коммутационные потери
- Снижение требований к охлаждению
- Ток модуля (А) — 200
- Tjмакс (℃) — 150
- Модуль IGBT
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
