HCG150FL065E2RB

Описание

Купить IGBT HCG150FL065E2RB в Харькове

Транзистор IGBT HCG150FL065E2RB широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG150FL065E2RB:

• Изоляционное напряжение (Vизол): 3 кВ среднеквадратичное значение
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 650 В
• Коллекторный ток постоянного тока (ICDC): 125 А
• Повторяющийся пиковый коллекторный ток (ICRM): 300 А
• Общая рассеиваемая мощность (Ptot): 173 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ±20 В
• Рабочая температура перехода (Tj): до 175°C
• Прочный и компактный дизайн
• Универсальное применение

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.