Описание
Купить IGBT HCG100FT120M2D в Харькове
Транзистор IGBT HCG100FT120M2D широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG100FT120M2D:
- Блокирующее напряжение (В) – 1200
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
- Низкое напряжение Vcesat с высокой температурой перехода
- Конструкция с низкой индуктивностью
- Более Высокая Эффективность Системы
- Уменьшите требования к охлаждению
- Низкие Потери при переключении
- Ток модуля (А) – 100
- Tjmax (℃) – 150
- Модуль IGBT
\
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
