HCG100FP120M3D1

Описание

Купить IGBT HCG100FP120M3D1 в Харькове

Транзистор IGBT HCG100FP120M3D1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG100FP120M3D1:

• Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
• Низкое напряжение Vcesat с высокой температурой перехода
• Конструкция с низкой индуктивностью
• Низкие Потери при переключении
• Включение более высокой частоты
• Принципиальная схема – PIM
• Блокирующее напряжение (В) – 1200
• Ток модуля (А) – 100
• Модуль IGBT

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.