Описание
Купить IGBT HCG100FP120M3D1 в Харькове
Транзистор IGBT HCG100FP120M3D1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности HCG100FP120M3D1:
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельного FWD
- Низкое напряжение Vcesat с высокой температурой перехода
- Конструкция с низкой индуктивностью
- Низкие Потери при переключении
- Включение более высокой частоты
- Принципиальная схема – PIM
- Блокирующее напряжение (В) – 1200
- Ток модуля (А) – 100
- Модуль IGBT
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
