HCG100FL065E2RB

Описание

Купить IGBT HCG100FL065E2RB в Харькове

Транзистор IGBT HCG100FL065E2RB широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности HCG100FL065E2RB:

• Положительный температурный коэффициент VCEsat
• Напряжение коллектор-эмиттер (ВCES): 650V
• Постоянный ток коллектора (ICN): 100A
• Повторяющийся пиковый ток коллектора (ICRM): 200A
• Рассеиваемая мощность (Pкарапуз): 135W
• Напряжение затвор-эмиттер (ВGES): ±20 В
• Рабочая температура перехода (Tj): До 175°C
• Низкие потери переключения
• Компактный и прочный дизайн

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.